蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜（mó）的製備（bèi）方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體實施方法的不同，又有如下種種方（fāng）法。阻隔膜生產設備

1.物理蒸鍍
物（wù）理蒸鍍亦稱物理（lǐ）氣相沉（chén）積法，包（bāo）括電阻絲蒸鍍、電子束蒸鍍以（yǐ）及濺射等。其中電阻式蒸鍍和電子（zǐ）束蒸鍍需（xū）在高溫下（xià）使SiO2汽化，而濺射沉積（jī）應用單元素靶（bǎ）材（cái）濺（jiàn）射，具有沉（chén）積溫度低、沉積速率高、靶材不受限製（zhì）、鍍膜質量好的
優點。

（1)電（diàn）阻絲蒸鍍法

電阻絲蒸發鍍法是在真空室中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可（kě）達1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形態（tài）從其表麵汽化逸出，形成蒸氣流，該蒸氣流（liú）在基材表麵沉積，形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。

（2)電子束蒸（zhēng）發鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放（fàng）入水冷銅（tóng）坩堝中，直接利用電子束（shù）加熱，使之蒸發（fā）汽（qì）化，然後凝結在基材的表麵上形成含SiOx鍍（dù）層的阻隔性包裝薄膜（mó）。電子束（shù）轟擊熱源的束（shù）流密度高，能獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發溫度高（電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫（wēn）度（dù）更可達3000~6000℃),因而特別適合製作高熔點薄（báo）膜類材料和高純薄膜材料，而且能有較高的蒸發速度。由於熱量（liàng）可直接加到蒸鍍材料的表麵，因而熱效率高，熱傳（chuán）導和（hé）熱輻射的損（sǔn）失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄膜的阻隔性，較之電阻絲蒸鍍法生產的產品，也有顯著提高。

（3)濺射（shè）法

濺射法亦稱磁控濺（jiàn）射（shè）法或高速低溫濺射法。用（yòng）單（dān）元素靶材濺（jiàn）射並倒（dǎo）入反應氣體進行的反應稱為（wéi）反應濺射，通過調節（jiē）沉積工藝參（cān）數（shù），可以製備化學配比（bǐ）或非化（huà）學配比的化合物薄膜，從而（ér）達到通過調節薄膜鍍層（céng）的組成來調控薄膜特性的目的。磁控（kòng）濺射法與蒸發（fā）法相比，具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍（dù）膜層致密、均勻等優點（diǎn）。磁控濺射的其他優點有設備簡單（dān）、操作方（fāng）便等，在濺射鍍膜過程中，隻（zhī）要保持（chí）工作氣壓和濺射功率恒定，基本（běn）上即可獲得穩定的（de）沉積速率（lǜ）。最大缺點是沉積速率相對較低，此外可能發生靶中毒、引起的打火和濺（jiàn）射過程不穩定（dìng）以及（jí）膜的缺陷等，這些限製了它的應用，因此尚有待進一（yī）步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化（huà）學（xué）蒸鍍亦（yì）稱等離子體增強化學氣相沉（chén）積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子（zǐ）體手段產生電子、離（lí）子及活性基（jī）團，在氣態或（huò）基體表麵進（jìn）行化學（xué）反應。等離子體（tǐ）增強化學（xué）氣相沉積技術，利用射頻（pín）（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放（fàng）電方式（shì）可以設置為連續放電方式或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電（diàn）來離解反應（yīng）氣體，形成等（děng）離子體（tǐ），等離子體與基（jī）膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中，對（duì）PECVD蒸鍍技術的原理、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍技術的發展趨勢進行了展（zhǎn）望。

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