一、影響蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜（mó）性能（néng）的（de）因素

蒸鍍（dù）基膜、蒸（zhēng）鍍方（fāng）法、蒸鍍條件以（yǐ）及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍層的厚度（dù）等，都可（kě）能對蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔（gé）性包（bāo）裝薄膜的性能產生巨大的影響，主要可以列舉如下。www.shzlyh.com南京91视频网站精工阻隔膜生產線

1.基材的選擇性
如（rú）前所述，蒸鍍型氧（yǎng）化矽（guī）阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗層，因此在蒸煮處理過（guò）程中，不能破壞該（gāi）塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄膜通（tōng）常與其他薄膜複合，製造蒸（zhēng）煮薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問（wèn）題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑（sù）料（liào）薄膜之間的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大（dà）的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧（yǎng）化矽間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定於氧化矽鍍層的均（jun1）勻性。裂縫、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除（chú）了蒸鍍層（céng）本身的化學成分（fèn）與結構之外，所用基膜的表麵平滑性，也是一個重要（yào）因素，粗（cū）糙度（dù）越大，越容易造成蒸鍍缺陷，但適量的粗（cū）糙度會使蒸鍍層和基膜（mó）的表麵之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜（mó）的（de）表麵預處理狀況

為了得到（dào）優質的蒸（zhēng）鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的（de）。塑料薄（báo）膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化（huà）層（通過交聯、臭氧化、羧（suō）基化、硝基化等多（duō）種複雜的化（huà）學反應，將氧、氮等原子及原（yuán）子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一定的情況下，如果預處理時間不足，表麵改（gǎi）性不充（chōng）分，將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理時間過長，可能引起基膜較深層次的界麵弱化，產生基膜自身（shēn）的弱界麵層，也會引起基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。
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2.蒸（zhēng）鍍工（gōng）藝條（tiáo）件對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能（néng）的影響（xiǎng）

不論采用物理蒸鍍或者（zhě）化學蒸鍍，蒸鍍工藝（yì）條（tiáo）件都可能對蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔性包裝薄膜的（de）性能產（chǎn）生（shēng）顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜阻隔性的工（gōng）藝條件。

（1)采用物理蒸鍍（dù）時，

真空度的高低、基（jī）材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真（zhēn）空室中（zhōng）氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸（zhēng）鍍時間與蒸（zhēng）發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利於（yú）SiO2的蒸發（fā），製得的蒸鍍膜的質（zhì）量越高。

②蒸鍍時塑料基（jī）膜的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上（shàng）沉積、形成致密的塗（tú）層並有利於提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度，因此適當提（tí）高塑料基膜的溫度，有利（lì）於提高蒸鍍薄膜的質（zhì）量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀（zhuàng）的SiO2在受電子槍轟擊時，易產生粉末濺（jiàn）射現象，影響蒸鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利（lì）於電阻加熱（rè）蒸發。

④氧（yǎng）氣（qì）的導入速度影響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍層（céng）向透（tòu）明性提高的方向移動，但（dàn）阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得到阻隔（gé）性能差（chà）的、無色透明的蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及良好透（tòu）明性（xìng）的蒸鍍氧化矽薄膜。www.shzlyh.com南京91视频网站精工阻隔（gé）膜生產線（xiàn）

蒸鍍層的厚（hòu）度增加，蒸鍍膜的阻隔性增加，但（dàn）當（dāng）蒸鍍層（céng）的厚度超過50nm時（shí），蒸鍍層的厚度再進一步增大，蒸鍍膜的阻隔性基本保持不變，因此不能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的（de）厚（hòu）度（dù）的辦法，無（wú）限度地提（tí）高蒸（zhēng）鍍薄膜的阻隔（gé）性。

（2)化學蒸（zhēng）鍍中，高頻電磁波或微波頻率的選擇，應（yīng）與離子化氣氛（fēn）中的離子化能量以及蒸鍍材料離（lí）子化所需要的能量相匹（pǐ）配，高（gāo）頻電磁波（bō）一（yī）般選用13.56MHz,微波一般選（xuǎn）用2.45MHz,真空度在10-2Pa左（zuǒ）右即（jí）可獲得優良的蒸鍍效果（guǒ），而（ér）物理蒸鍍時則需要更高的真空（kōng）度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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