蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜的製備方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩（liǎng）大類。根據具體實施方法的不同，又有如下種種方法。www.shzlyh.com南京91视频网站精工機械有限公司阻隔膜生（shēng）產設備（bèi）

1.物理蒸鍍
        物理蒸（zhēng）鍍亦稱物理（lǐ）氣相沉積法，包括電阻絲蒸鍍、電子束蒸鍍以及濺射等。其中（zhōng）電阻式蒸鍍和電子束蒸（zhēng）鍍需在高溫下使SiO2汽化，而濺（jiàn）射沉（chén）積（jī）應用單元素靶材濺射，具有沉積溫度低、沉積速率高、靶材不受限製、鍍膜質（zhì）量好的（de）
優點。

（1)電（diàn）阻絲蒸鍍（dù）法

       電阻絲蒸發鍍法是在真空室（shì）中，用（yòng）電阻絲加熱SiO2,溫度（dù）可達1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形態從其表麵汽化逸出，形成蒸氣流，該蒸氣流在基材表麵沉積，形（xíng）成含SiOx鍍（dù）層的阻隔性包（bāo）裝薄膜。

（2)電子（zǐ）束蒸發鍍膜法

        電（diàn）子束（shù）蒸發鍍膜法是將 SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使之蒸（zhēng）發汽化，然後（hòu）凝結在基材的表麵上形成含SiOx鍍（dù）層的阻隔性包裝薄（báo）膜。電子束轟（hōng）擊熱源的束流密度高，能獲得（dé）遠比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發溫度高（電子束（shù）加熱能量達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因而（ér）特別適（shì）合（hé）製（zhì）作高熔點薄膜類材料和高純薄（báo）膜材料（liào），而且能有較高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸鍍材料的（de）表麵，因而熱效率高，熱傳導和熱輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄（báo）膜的阻隔性，較之電阻絲蒸（zhēng）鍍法生產（chǎn）的產品，也有（yǒu）顯著提高。

（3)濺射法

        濺射法（fǎ）亦稱磁控濺射法或高速（sù）低溫濺射（shè）法。用（yòng）單元素靶材濺射並倒入（rù）反應氣體進行的反（fǎn）應稱為反應濺射，通過調節沉積工藝參數（shù），可以製備化學配比或非化學配（pèi）比的化（huà）合物薄膜，從而達到通過調節（jiē）薄膜鍍層的組成來（lái）調控薄膜特性（xìng）的目的（de）。磁控濺射法（fǎ）與蒸發法相（xiàng）比，具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層（céng）致密（mì）、均勻等優點。磁控濺射的其他優點有設備簡單、操作方便等，在濺射鍍膜過程中，隻要（yào）保持工作氣壓和（hé）濺射功（gōng）率恒定，基本（běn）上即可獲得（dé）穩定的沉積速率。最大（dà）缺點是沉積速（sù）率相對較低，此外可（kě）能發生靶中毒、引起的打火和濺射（shè）過程不穩定以及膜的缺陷等，這些限製了它的應用，因此尚有待進一步改進。www.shzlyh.com南京住（zhù）野精工機械有限公司阻隔膜生產設備

2.化學（xué）蒸鍍（PECVD)
        化學蒸鍍亦稱等離子體增強化學氣相沉積（jī）或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子體手段產生電子、離子及活性基團，在氣態或基體表麵進行化（huà）學反應。等離子體增強化學氣相沉積技術，利用射頻（RF)電源產生輝（huī）光放（fàng）電（diàn）（射頻電源放電方式可（kě）以設置為連續（xù）放電方式或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電來離解反應氣體，形成等離子體，等離子體與基膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原理、特點和（hé）應用及陶瓷膜蒸鍍技術（shù）的發展（zhǎn）趨勢進行了展望。www.shzlyh.com南京91视频网站精工機械有限公司阻隔膜生產（chǎn）設備

        等離子體增強化學氣相沉積（jī）采用有機（jī）矽（guī）化合物（wù）作為單體［主要（yào）是有機（jī）矽烷（wán），如六甲基二矽氧烷（wán）（HMDSO)、四甲基二矽氧烷（wán）（TMSO)、八甲基二矽氧烷等］，用等離子體手（shǒu）段先使之進行離解（jiě），然後聚合沉積在基材表麵上，是一種新的（de）SiOx阻（zǔ）隔（gé）性包裝薄膜（mó）的製備方法，等離子體增強化學氣相沉積方法具有沉積溫度低、沉積速率快的特點，通過改變極板負偏（piān）壓，在製備薄膜過程中可調節各種粒子的能量，從而製備（bèi）出致密、均勻（yún）、高質量的SiOx阻隔性包，裝薄膜。近年來該法在（zài）等離子體化學領域（yù）的研究工作（zuò）十分引人（rén）注目。

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